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中央政治局委员李鸿忠宣布项目启动
更新时间:2018-04-16  点击次数:[2390]

328,作为国家重大战略,总投资240亿美元(约1600亿元人民币)的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区启动。这是我省建国以来最大单体投资高科技产业项目。省委书记李鸿忠宣布项目启动。


国家工信部副部长怀进鹏,国家发改委、科技部、财政部、国家集成电路产业投资基金公司、国家开发银行等有关部门负责同志,省委常委、常务副省长王晓东,省委常委、武汉市委书记阮成发,省委常委、省委秘书长傅德辉,华中科技大学党委书记路钢等出席启动仪式。


启动仪式由湖北省委常委、常务副省长王晓东主持;省委常委、武汉市委书记阮成发,国家发改委高技术产业司副司长孙伟,国家工信部副部长怀进鹏分别在启动仪式上致辞。


20157月,发展存储器芯片正式被确定为国家战略。今年223日,国务院批复同意国家存储器基地落户湖北武汉。这一世界级存储器基地,将为我国打破主流存储器领域空白,实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。


怀进鹏对国家存储器基地在武汉启动表示祝贺。他指出,这是“十三五”开局之年,我国信息技术产业抓住机遇补齐短板,推动重大生产力布局的战略举措,对我国集成电路产业发展具有里程碑意义。


2014年,国家颁布实施《国家集成电路产业发展推进纲要(2015-2025)》,并成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金。2015年,发展存储器上升为国家战略。存储器基地项目由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资筹建,是以武汉新芯集成电路制造有限公司为基础的高端存储器研发与制造基地。项目总投资达240亿美元,近1600亿人民币。存储器基地坐落于湖北武汉东湖新技术开发区光谷智能制造产业园,占地面积约为2500亩,其中核心厂区面积约1400亩,共分三期建设,一期厂房于2016年全面动工,二、三期厂房预计将在2020年前建成。建设内容包括芯片制造、产业链配套等,计划5年投资240亿美元,到2020年实现月产能30万片,2030年实现月产能100万片。基地主要生产具有广阔市场前景的3D NAND Flash 芯片和应用广泛的DRAM芯片,厂房建成后产能预计会达到30万片/月,以填补我国主流存储器领域的空白,满足国内外大数据应用和物联网市场对存储器产品的巨大需求。基地还将规划一个总建筑面积达200万平方米的国际社区作为配套,以满足此项目人才的生活需求,社区总居住人数可达30000人。


存储器基地将致力于提升我国存储器产业的核心技术与大规模生产水平,并持续吸引产业链上下游优秀企业来汉聚集,打造完整产业链。此项目将集全球资源,联合各方力量,力争实现中国大存储器产业零的突破,将自身打造为世界级半导体产业基地。


国家存储器基地落户江城 其意义超过当年建武钢


328下午,2016年国际存储器高峰论坛在武汉东湖国际会议中心举行,中科院微电子研究所所长叶甜春、清华大学微电子学研究所所长魏少军、武汉新芯执行副总裁陈少民等与会嘉宾,畅谈存储器芯片产业现状与发展趋势,展望昨日落户光谷的国家存储器基地的发展蓝图。


“国家存储器基地落户武汉,其意义会超过武钢在工业化时代对于武汉的意义。”叶甜春说,在现在的信息时代,这是影响力更大的“新武钢”,它将是全国最大的芯片工厂。芯片的主要材料是硅,一个城市的“硅含量”,将决定城市未来发展的位次。从上世纪的武钢到今天的世界级存储器基地开工,武汉又一次站在了国家战略的制高点。


武汉火鸟文化产业发展有限公司全程策划、执行本次启动仪式暨国际高峰论坛活动。